金ゲルマニウム合金は、半導体製造において使用される重要な薄膜成膜材料およびパッケージング材料です。 物理気相成膜、PVDプロセスにより形成されるAuGe薄膜は、半導体デバイスのオーミックコンタクト電極形成に使用されます。 低温アニール処理により、AuGe薄膜は半導体基材と合金化層を形成し、接触抵抗の低減に貢献します。 これにより、高周波デバイス、オプトエレクトロニクスデバイス、マイクロ波部品などの製造プロセスに対応可能です。 JFMでは、各種形状の金ゲルマニウム合金材料を取り扱っており、クリーンな製造環境、接合品質の安定性、長期使用安定性が求められる用途に応じた材料選定をサポートいたします。
金ゲルマニウム合金は、半導体および電子パッケージ用途に適しており、以下の特長を備えています
金ゲルマニウム蒸着材料は、主に半導体薄膜成膜およびデバイス製造用途に使用されます
| 項目 | 供給能力・技術特長 |
| 材料系 | 金ゲルマニウム共晶合金 |
| 形状 | 粒状、塊状、切断線材、棒材など、各種蒸着源に対応 |
| 対応プロセス | 共晶接合、リフロー封止、熱蒸着、電子ビーム蒸着 |
| 適用用途 | チップ実装、共晶接合、オーミック電極形成、合金薄膜成膜 |
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